真空鍍膜的種類

 在真（zhēn）空中製備膜層，包（bāo）括鍍（dù）製晶態的金屬、半導體、絕（jué）緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽（qì）相沉積也（yě）采用減壓、低壓（yā）或（huò）等離子體等真空手段，但一般（bān）真空鍍膜是指用物（wù）理的方法沉積（jī）薄膜。真空鍍（dù）膜有三種形式，即蒸發鍍膜（mó）、濺射（shè）鍍膜和離子鍍。

蒸發鍍膜 通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表麵，稱為蒸發鍍膜（mó）。這種方（fāng）法最（zuì）早由M.法拉第於1857年提出（chū），現代已（yǐ）成為常用鍍膜技術（shù）之一。

蒸發物（wù）質如金屬、化合物等置（zhì）於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發（fā）源（yuán），待鍍工（gōng）件，如金屬、陶瓷、塑（sù）料等（děng）基片置於坩（gān）堝前方。待係統抽至高（gāo）真空後，加熱坩堝使其中的物（wù）質蒸發。蒸發物質的原子或分子（zǐ）以冷凝方式（shì）沉積在基片表（biǎo）麵。薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定於蒸發源的蒸發速率和（hé）時間（或決定於（yú）裝（zhuāng）料量），並與源和基片（piàn）的距離有關（guān）。對於大麵積（jī）鍍膜，常采用旋轉基片或多蒸發源的（de）方式以保證膜層厚度的均勻性（xìng）。從蒸發源到基片的距離應小於（yú）蒸氣分子在殘（cán）餘（yú）氣體中的平均自由（yóu）程（chéng），以免蒸氣（qì）分子與殘氣分子（zǐ）碰撞引（yǐn）起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1～0.2電子伏。

蒸發（fā）源有三種類型。①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方（fāng）的或置於坩堝中的蒸發（fā）物質,電阻加熱源主要用（yòng）於蒸發Cd、

Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高頻感應加熱源：用高（gāo）頻感應（yīng）電流加熱坩（gān）堝和蒸發物質。③電子束加熱源：適用於（yú）蒸發溫（wēn）度較高（不（bú）低於2000[618-1]）的材料，即用電子束轟擊材料使其蒸發。

鍍（dù）銠（lǎo） 鍍白金 鍍（dù）金 鍍鈀鎳  鍍鈀鎳廠家   鍍鈀鎳（niè）公司  深圳鍍鈀鎳  陶瓷電鍍